蒸發技術:

        從標準和定制蒸發源的全部范圍中進行選擇，并使用石英和光學監控器對速率和層厚進行源控制。

        結合先進的過程控制技術來控制涂層自身的應力，溫度分布或光學特性，蒸發源可實現金屬，電介質和TCO的精確沉積，適用于各種應用，包括功率器件，無線，LED，MEMS和光子學。

        熱源

        船，燈絲源和大容量桶狀源，用于數百納米的厚層。

        電子束蒸發

        帶有縱向光束掃描的車身

        帶有噴槍的系統，以及用于較厚層的單，多口袋和大容量坩堝的全數字光束掃掠儀。

        帶有坩堝轉塔系統的定制電子槍震源，用于特殊應用，并延長了震源維護之間的產品時間。

        滲出池技術

        高穩定性的“散布源”可用于高溫和低蒸氣壓材料的定制應用，或在共沉積應用中需要特殊低摻雜速率的應用。

        等離子體離子輔助蒸發（PIAD）

        離子源技術可為光子學和光電子學領域的應用提供更低的工藝溫度，更短的工藝時間以及增強的薄膜性能。

 HCVAC專有的陰極技術和平臺專為批量生產中的高速率和長目標壽命而設計，以最低的擁有成本。我們根據整個核心市場的基板格式，工藝和產量以及客戶工廠集成需求提供垂直和水平濺射生產解決方案.

 水平濺射架構：這只是Hcvac提供的一系列核心工藝功能和具有水平濺射功能的平臺的一小部分

 沉積用于MEMS，無線通信和LED的高性能AlN（和AlScN）層- 

 沉積用于晶圓級光學（WLO）的高通量光子學應用的精密光學疊層- 
      沉積高級封裝中的金屬層和疊層（UBM / RDL ），電源設備，無線通信，晶圓級EMI屏蔽或PCB接種

  HCVAC的濺射功能，分別支持最大200mm，300mm，380mm和650mm的基板格式。

  高速率直流，直流脈沖，DC / RF源，帶有可選偏置
       “多”濺射技術，具有多達4個源，用于合金和化合物的共沉積
       專有的源技術包括“ Penta Plus”和多達6個濺射陰極，可實現出色的階梯覆蓋
       用于光學應用中的TSV工藝和定制硬涂層工藝的高度電離濺射（HIS）技術
       集成了先進的過程控制技術，包括等離子發射監視（PEM）和用于過程控制的光學監視技術
       盒式磁帶到盒式磁帶的處理

  垂直濺射架構

  矩形陰極技術可在垂直濺射平臺上使用，可在MEMS，光電子和光子學應用中高效批量生產TCO，金屬，電介質和對準的磁性膜，最大基板尺寸為380 X 560mm。

  基板尺寸之間的簡單交換，可快速改變生產要求

蝕刻和PIAD技術

       在匯成產品組合中的每個平臺上均可使用Etch和/或PIAD功能進行集成。

       從金屬蝕刻到在Fanout晶圓級或面板級封裝（FOWLP和FOPLP）中對有機基板的高通量處理，再到具有出色附著力的厚光學疊層的沉積，匯成均可提供定制的蝕刻和PIAD源和工藝。這只是匯成功能的一些示例。

       金屬蝕刻
       在BAK平臺上可以進行“原位”蝕刻和深加工 。在垂直濺射平臺內，負載鎖定室可配備脫氣，加熱和RF或離子束蝕刻功能，以進行預清潔并改善薄膜附著力。我們在薄晶圓上的先進背面金屬化工藝包括可控制應力和溫度的預蝕刻，可形成高質量的歐姆接觸，而不會造成晶圓彎曲或翹曲.

      高級包裝

    專用ICP Arctic Etch技術將冷ICP反應器技術與脫氣和濺射技術結合使用，以在FOWLP等典型應用中在高度脫氣的有機基材上實現穩定的接觸電阻（Rc）值。匯成充分利用了晶圓級應用程序中的知識，為FOPLP和高級PCB處理帶來功能。

       PIAD用于穩定電介質

       BAK蒸發器，濺射濺射儀和垂直濺射儀上的源技術 與先進的過程控制技術（如光學監控，等離子輻射監測和原位再優化）相結合，可通過蒸發或濺射法沉積穩定的復雜光學層

       請根據您的應用要求與我們聯系以獲取有關我們在PECVD中的功能的完整詳細信息

       PECVD技術可實現具有高擊穿電壓的高均勻性，無針孔膜，可調節的折射率以及控制從拉伸到壓縮的膜應力。

       PECVD解決方案的優勢
       定制解決方案
       知道如何在低溫過程中
       經驗證的MEMS，LED和光子學工藝

光學結構實時優化工藝：實時監控當前鍍膜結果，當膜層厚度（光學厚度）偏離設定值時，對下一層進行重新計算和修正，以糾正錯誤或反向補償偏差。

可單通道、六通道或十二通道，單材料或多材料沉積的工藝中高精度膜厚監控

射頻感應耦合等離子體源（ICP)的優勢

提高等離子密度，尤其是惰性反應氣體的離化率

高能粒子轟擊，提高薄膜致密度

提高成膜質量，可避免高溫工藝

改變薄膜晶體結構從而改變薄膜化學或電學性能